1、GMRGMR是巨磁阻效应(Giant Magnetoresistance Effect)元件的缩写。GMR磁传感器元件利用的是发生在磁性物料(例如铁、镍或钴)中磁阻效应(MR效应),即电阻随磁场变化而变化的现象。2、AMRAMR是各向异性磁阻效应(Anisotropic Magnetoresistance Effect)元件的缩写。1856年,William Thomson通过观察放置于外部磁